ICS 91.140.70 Q 31 ZZB 浙江制造 团体标 准 T/ZZB 0497—2018 声表面波器件用单晶晶片 Single crystal wafers for surface acoustic wave device applications 2018 - 08 - 31发布 2018 - 09 - 30实施 浙江省品牌建设联合会 发布 ZHEJIANG MADET/ZZB 0497 —2018 I 目 次 前言 ................................................................................ II 1 范围 .............................................................................. 1 2 规范性引用文件 .................................................................... 1 3 术语和定义 ........................................................................ 1 4 基本要求 .......................................................................... 2 5 产品要求 .......................................................................... 3 6 试验方法 .......................................................................... 6 7 检验规则 .......................................................................... 8 8 标志、包装、运输和储存 ............................................................ 9 9 质量承诺 ......................................................................... 10 附录A（规范性附录） 压电单晶的欧拉角表示法 ......................................... 11 附录B（资料性附录） SAW晶片制作工艺 ............................................... 14 附录C（规范性附录） 测量方法 ....................................................... 19 ZHEJIANG MADET/ZZB 0497 —2018 II 前 言 本标准依据 GB/T 1.1 —2009给出的规则起草 。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由浙江省品牌建设联合会提出并归口。 本标准由浙江方圆检测集团股份有限公司牵头组织制定。 本标准主要 起草单位： 中电科技德清华莹电子有限公司。 本标准参与起草单位：浙江方圆检测集团股份有限公司、 中国电科第二十六研究所、北京航天微电 科技有限公司（排名不分先后）。 本标准主要起草人： 卢明达、黄顺民、李勇、岳高东、崔坤、贝伟斌、胡少勤、史向龙 、杭州明、 杨攀、朱卫俊、宋松、林毅、施旭霞。 本标准由浙江方圆检测集团股份有限公司负责解释。 ZHEJIANG MADET/ZZB 0497 —2018 1 声表面波器件用单晶晶片 1 范围 本标准规定了单晶晶片的术语和定义、基本要求、产品要求、试验方法、检验规则、标志、 包装、 运输和储存、质量承诺。 本标准适用于人造石英（ QZ）、铌酸锂（ LN）、钽酸锂（ LT）、四硼酸锂（ LBO）和硅酸镓镧（ LGS） 等单晶晶片。这些单晶晶片用作声表面波 (SAW)器件的基片材料。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。 凡是注日期的引用文件， 仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 3352 人造石英晶体——规范与使用指南（ MOD，IEC 60758:2004） GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第1部分：可接收质量限（AQL ）检索的逐批检验抽样计划（ IDT， ISO 2859-1:1999） GB/T 30118—2013 声表面波（ SAW）器件用单晶晶片 ——规范与测量方法 YS/T 554 —2007 铌酸锂单晶 IEC 62276:2016-10 声表面波（SAW ）器件用单晶晶片 ——规范与测量方法 3 术语和定义 GB/T3352、 GB/T 30118—2013中界定的以及下列术语和定义适用于本标准。 3.1 LN和LT晶体的术语和定义 3.1.1 还原处理 reduction process 通过还原反应增加导电性以减少热 释电效应引起 的损伤。 3.1.2 还原铌酸锂 reduced LN 还原处理过的LN 。 注：还原铌酸锂有时称为“黑铌酸锂（black LN ）”。 3.1.3 还原钽酸锂 reduced LT 还原处理过的LT 。 ZHEJIANG MADET/ZZB 0497 —2018 2 注：还原钽酸锂有时称为“黑钽酸锂（black LT ）”。 4 基本要求 4.1 设计研发 企业应具有铌酸锂、钽酸锂 单晶晶片配方开发能力。 4.2 原材料 4.2.1 人造石英晶体 用Z切向角度偏差在 +5°以内的籽晶生长的人造石英晶体， 且晶片不含-X 方向生长区。 按GB/T 3352， 人造石英晶体的品质应满足或优于下面的等级： ——红外吸收系数 α值：D级； ——包裹体密度（个 /cm3）：Ⅱ级； ——腐蚀隧道密度（条/cm2）：2级。 4.2.2 铌酸锂晶体 具有规定范围居里温度的单畴晶体。 4.2.3 钽酸锂晶体 具有规定范围居里温度或者晶格常数的单畴晶体。 4.2.4 四硼酸锂，硅酸镓镧晶体 无双晶的单晶。 4.3 生产及检测设备 4.3.1 加工设备 企业应具有高精度磨床、多线切割、全自动倒角、双面研磨、单面减薄、单面抛光的大型高精度、 高稳定性加工设备。 4.3.2 高精度设备 企业应具有定向仪、轮廓仪、高倍显微镜、差热分析仪、平面度测试仪、Cande la（坎德拉）等高 精度设备。 4.3.3 清洗能力 企业应具有高清洗能力，以满足客户产品免清洗的要求。 4.4 工艺 4.4.1 工艺流程 企业应具备切、磨、 减薄、抛等必备的工艺流程。 4.4.2 工艺要求 ZHEJIANG MADET/ZZB 0497 —2018 3 采用大型、高稳定性、高平整度设备对产品进行研磨、减薄、抛光等加工过程，保障产品具备高光 洁度、高平面度质量。 4.5 环保 生产后产生的碎晶片、晶体头尾料、晶粉及废砂应回收利用 。生产后的工业废水应中和排放 ，应具 备处理生产工业废水的能力。 5 产品要求 5.1 单畴化 产品电畴形状应正确，分布均匀，方向一致。 5.2 居里温度及其允差 按下列要求确定： a) LN中心值在 1139℃～ 1145℃内，允差为中心值± 2℃； b) LT中心值在 600℃～604℃内，允差 为中心值± 2℃。 注：居里温度及其允差只适用于LN 、LT晶体，该指标的中心值可由供需双方协商确定。 5.3 晶片取向（定向）允差 晶片取向允差应由供需双方协商，如无明确要求，按下列要求确定： a) 石英晶体允差 ±10′； b) LN、LT、LBO允差±12′； c) LGS晶体允差 ±10′。 5.4 外观质量 具体要求： a) 划痕：正面无划痕； b) 表面缺口：无缺口； c) 边缘倒角：径向深度小于 0.5 mm； d) 外围弦长小于 1.0 mm； e) 裂纹：无裂纹； f) 污染：无污染； g) 其它：无其它如凹陷、麻坑和桔皮等缺陷。 5.5 直径及其允差 按下列要求确定： a) 76.2 mm±0.2 mm（一般称为 76.2 mm晶片，或“ 3英寸”晶片）； b) 100.0 mm± 0.3 mm（一般称为 100 mm晶片，或“4 英寸”晶片）； c) 125.0 mm± 0.3 mm（一般称为 125 mm晶片，或“5 英寸”晶片）； d) 150.0 mm± 0.3 mm（一般称为 150 mm晶片，或“6 英寸”晶片）； e) 200.0 mm± 0.3 mm（一般称为 200 mm晶片，或“8 英寸”晶片）。 5.6 厚度及其允差 ZHEJIANG MADET/ZZB 0497 —2018 4 按下列要求确定： a) 厚