ICS29.045 H80 中华人民共和国国家标准 GB/T32279—2015 硅片订货单格式输入规范 Specificationfororderentryformatofsiliconwafers 2015-12-10发布 2017-01-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会发布 前 言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本标准起草单位:万向硅峰电子股份有限公司、浙江省硅材料质量检验中心、杭州海纳半导体有限 公司、南京国盛电子有限公司、有研新材料股份有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、江苏协鑫硅材 料科技发展有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所。 本标准主要起草人:朱兴萍、楼春兰、戴文仙、毛卫中、赵纪平、王飞尧、马林宝、孙燕、李慎重、 林清香、杨素心、邹剑秋。 ⅠGB/T32279—2015 硅片订货单格式输入规范 1 范围 本标准规定了硅片订货单的格式要求和使用。 本标准适用于硅单晶研磨片、硅单晶抛光片、硅单晶外延片、太阳能电池用硅单晶切割片、太阳能电 池用多晶硅片的订货单格式,其他半导体材料的订货单可参照本标准执行。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1551 硅单晶电阻率测定方法 GB/T1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法 GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 GB/T6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T6619 硅片弯曲度测试方法 GB/T6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T6621 硅片表面平整度测试方法 GB/T6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T12965 硅单晶切割片和研磨片 GB/T13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T13388 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 GB/T14139 硅外延片 GB/T14140 硅片直径测量方法 GB/T14142 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法 GB/T14144 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T14847 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法 GB/T19921 硅抛光片表面颗粒测试方法 GB/T24578 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法 GB/T26068 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法 GB/T26071 太阳能电池用硅单晶切割片 GB/T29055 太阳电池用多晶硅片 1GB/T32279—2015 GB/T30859 太阳能电池用硅片翘曲度和波纹度测试方法 GB/T30860 太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法 YS/T26 硅片边缘轮廓检验方法 YS/T28 硅片包装 3 术语和定义 GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 激光刻号 lasermarking 利用激光把供方代码或其他信息刻于晶片某一位置上,做出标记。 4 要求 4.1 硅片的物理性能参数、晶体完整性、几何参数、表面质量、包装、检验方法等要求都应在订货单中 体现。 4.2 硅单晶研磨片订货单格式应符合表1的规定。 表1 硅单晶研磨片订货单格式 用户名称 规范号 订货单号 版本号 特性类型 项目 单位 规 格 方 法 备 注 物理 性能 参数生长方法[ ]CZ [ ]FZ [ ]其他 晶向[ ]<100> [ ]<111> [ ]<110> [ ]其他[ ]GB/T1555 [ ]其他 晶向偏离度 (°)[ ]±[ ][ ]GB/T1555 [ ]其他 导电类型 [ ]P [ ]N[ ]GB/T1550 [ ]其他 掺杂剂[ ]B [ ]P [ ]Sb [ ]As 电阻率 Ω·cm[ ~ ][ ]GB/T1551 [ ]其他 径向电阻率变化 % 不大于[ ][ ]GB/T11073 [ ]其他 少数载流子寿命μs不小于[ ][ ]GB/T1553 [ ]其他 2GB/T32279—2015