ICS 65.020.20 B 62 DB11 北 京 市 地 方 标 准 DB 11/T 1144—2014 盆栽春石斛兰栽培技术规程 Technical regulation of cultivation for potted nobile style dendrobium 2014 - 12 - 17 发布 北京市质量技术监督局 2015 - 04 - 01 实施 发 布 DB11/T 1144—2014 目 次 前言................................................................................. II 1 范围............................................................................... 1 2 术语和定义......................................................................... 1 3 缩略语............................................................................. 1 4 组培苗生产......................................................................... 2 5 温室准备........................................................................... 2 6 基质准备........................................................................... 2 7 水质要求........................................................................... 3 8 种植容器........................................................................... 3 9 生根苗移栽......................................................................... 3 10 栽培管理.......................................................................... 3 11 花期调控.......................................................................... 4 12 病虫害防治........................................................................ 5 附录 A（资料性附录） MS 培养基母液及培养基配制参数一览表 .............................. 6 附录 B（资料性附录） 春石斛兰栽培设施处理常用方法及常用药剂一览表 .................... 7 附录 C（资料性附录） 春石斛兰主要病虫害及防治方法一览表 .............................. 8 I DB11/T 1144—2014 前 言 本标准按照 GB/T 1.1—2009 给出的规则起草。 本标准由北京市园林绿化局提出并归口。 本标准由北京市园林绿化局组织实施。 本标准起草单位：北京温榆河花卉有限公司、北京市大东流苗圃。 本标准主要起草人：律江、司瑞新、李振鹏、李振坚、刘克林、姜青樟、王瑛、黄庆祝、邢立霞、 薛敦孟、方志军。 II DB11/T 1144—2014 盆栽春石斛兰栽培技术规程 1 范围 本标准规定了盆栽春石斛兰繁殖栽培养护的全过程，包括组培苗生产、温室准备、基质准备、水质 要求、种植容器、生根苗移栽、栽培管理、花期调控、病虫害防治等栽培养护环节。 本标准适用于盆栽春石斛兰组培苗的温室栽培管理。 2 术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 2.1 假鳞茎 pseudobulb 一种变态茎，粗短而肥厚，有节，叶生于节上。 2.2 鳞芽 bulbil 从假鳞茎基部萌生出的叶芽。 2.3 花芽 flower bud 在假鳞茎节处与叶片相对的部位萌发的绿豆状凸起，通常每芽可分化为2～4朵花。 2.4 高位芽 high–bud seeding 在假鳞茎节上萌生出的新个体。 2.5 止叶 terminal leaf 生长在假鳞茎顶部，其叶鞘包围的是一个圆锥状节，节上偶见急剧缩小的叶形片状体。 2.6 缺刻 notch 春石斛兰叶片尖部的三角状缺痕。 3 缩略语 下列缩略语适用于本文件。 1 DB11/T 1144—2014 6-BA：6苄基腺嘌呤（6-benzyladenine） NAA：萘乙酸（1-naphthaleneacetic acid） TWEEN-20：吐温20（polysorbate20） 4 组培苗生产 4.1 培养基 宜选用MS为基本培养基；常用生长调节剂为6-BA、 NAA。培养基配制参数参见附录A。 4.2 外植体选择及处理 选择品种纯正、生长健康的植株，切取幼嫩的鳞芽或高位芽，清洗消毒后，进行表面灭菌，然后切 取5mm茎尖进行接种培养。 4.3 培养条件 光照强度2000lx～4000lx，光照时间12h/d，培养温度25℃±2℃。 4.4 原球茎诱导 诱导培养基宜为MS+6BA2.0mg/L+NAA0.5mg/L+蔗糖3% +琼脂0.7%，pH值为5.2～5.4，培养25d～30d。 4.5 继代培养 继代培养基宜为MS+6BA1.0 mg/L+NAA0.5mg/L+蔗糖3% +椰乳150g/L+琼脂0.7%，pH值为5.2～5.4， 培养40d～50d后分化出小苗。如果需要进一步扩繁，可将原球茎切成小块进行多次转接。 4.6 生根苗培养 生根培养基宜为1/2MS+NAA0.1mg/L+香蕉泥100g/L+活性炭0.1% +蔗糖2% +琼脂0.7%，pH值为5.2～ 5.4。将株高大于5cm的小苗转接到生根培养基上。 4.7 出苗 当根系大于等于3条，株高8cm左右时，即可将生根苗运送到温室进行过渡栽培。 5 温室准备 5.1 基本要求 栽培温室应具备调控温度、湿度、光照等环境因子的设备设施。 5.2 温室处理 种植前清理温室内部及周边杂物、杂草。 种植前一周采用高效低毒杀虫剂，喷洒地面、苗床、排水沟等，喷至表面布满水滴为宜。 种植前2d～3d采用广谱性杀菌烟剂，密闭熏蒸12h～24h，期间人员不得进入。熏蒸后充分通风6h～ 12h。处理药剂及使用方法参见附录B。 2 DB11/T 1144—2014 6 基质准备 6.1 基质种类 应选择透气性好的栽培基质，常选择水苔栽培，也可选择树皮、椰糠等栽培。 6.2 水苔处理 清水浸泡水苔4h～6h，排掉多余水分后捞出水苔放入甩干机,脱水至排水口水流呈滴状流出为宜。 将水苔取出放至操作台上备用。 7 水质要求 栽培水质pH值为6.5～7.0，EC值小于0.15ms/cm。不达标水质使用前需进行脱盐、酸化处理。 8 种植容器 根据种苗的不同生长阶段，可以选择72目穴盘和口径8cm×深8cm的白色塑料营养钵（又称2.5寸盆） 种植。通常2.5寸盆需要配合15孔植架一同使用。 9 生根苗移栽 9.1 炼苗 组培生根苗从培养间运送到温室后，需要进行闭盖2d～3d，开盖12h～24h的炼苗过程。开盖时间宜 选择在16:00以后进行。炼苗期间最适夜温16℃～18℃，最适日温20℃～24℃。相对湿度60%～80%为宜。 光照强度控制在2000lx～5000lx之间为宜。 9.2 洗苗 准备好洗苗用的水盆、盛苗盘、杀菌剂等。 轻磕培养瓶底部使培养基松动，然后将瓶苗倒入盛有清水的盆中，洗净根系及植株上残留的培养基。 将种苗根据大小分别摆放在不同的盛苗盘中。无根苗、黄弱苗、变异苗应舍弃。 9.3 种苗处理 一般可使用70%的甲基托布津1‰浓度液或75%的百菌清1‰浓度液，浸泡10min～15min。通常在处理 之后还应将组培苗放置在阴凉通风处晾苗1h～2h，使根系表面略微发白后进行移栽。 9.4 移栽 在根系外围均匀包裹水苔，将种苗种植在72目穴盘中。种植宜浅不宜深，以水苔包裹于根茎交界处 为宜。 10 栽培管理 10.1 上盆 3 DB11/T 1144—2014 通常生根苗移栽4～5个月后上盆定植。将种苗从穴盘中拔出，剪去基部丛生矮小的假鳞茎，保留1～ 2个生长一致的健壮植株进行上盆。 在已经抱团的根系外围均匀包裹一层水苔后种入2.5寸盆中，保持水苔上表面与营养钵下环线相平。 种植时水苔宜紧不宜松。 10.2 摆放 种苗摆放在15孔植架中。根据种苗大小分别摆放，以植株叶片轻度相错为宜。摆放时应保持所有植 株叶片朝向一致。 10.3 留芽 通常10月中旬鳞芽萌发，当假鳞茎生长至4cm～5cm时进行留芽处理。选择基部粗壮、节间较短的壮 芽留下，每盆保留1～2个为宜。 10.4 支撑 当假鳞茎高度达到25cm～30cm时进行支撑。 根据不同品种分别选取长度40cm～50cm左右的包塑铁丝对春石斛兰进行支撑。将铁丝插在叶片缺刻 的背侧，一直深入营养钵底部，然后用2～3根绑绳将其固定在铁丝上。绑绳应捆绑的松一些，通常绑环 大小控制在茎粗的2～3倍左右。 10.5 环境控制 春石斛兰生长温度8℃～32℃，最适夜温16℃～18℃，最适日温26℃～28℃。穴盘苗初期光照 2000lx～5000lx，后期逐渐提高到5000lx～10000lx；2.5寸盆苗期光照10000lx～15000lx。生长期相对 湿度保持在60%～80%为宜。 10.6 肥水控制 通常穴盘苗每隔10d～15d施肥一次，交替施用氮磷钾比例为30:10:10和20:20:20的复合肥1500～ 2000倍液，EC值在0.8ms/cm～1.0ms/cm之间。2.5寸苗期每3～4个月在花盆中撒施氮磷钾比例为14:14:14 缓释肥0.5g～1g。一般采用喷淋设施浇水，可以避免2.5寸盆养护期间水管浇水对肥粒的冲击。 11 花期调控 11.1 植株准备 11.1.1 催花株苗龄 当年移栽的春石斛兰组培苗不能进行催花处理，只有经过次年栽培之后的植株才能进行催花处理。 催