(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告 号 (45)授权公告日 (21)申请 号 202221357809.6 (22)申请日 2022.05.31 (73)专利权人 徐州鑫晶半导体科技有限公司 地址 221004 江苏省徐州市经济技 术开发 区鑫芯路1号 (72)发明人 佘辉　迈克·弗兰肯堡 　 (74)专利代理 机构 北京清亦华知识产权代理事 务所(普通 合伙) 11201 专利代理师 赵静 (51)Int.Cl. C30B 15/00(2006.01) C30B 29/06(2006.01) B08B 5/02(2006.01) (54)实用新型名称 用于晶体生长设备的清扫用具和晶体生长 设备 (57)摘要 本实用新型公开了一种用 于晶体生长设备 的清扫用具和晶体生长设备， 晶体生长设备包括 晶体生长炉， 晶体生长炉具有待清洁表面， 清扫 用具适于位于待清洁表面的径向内侧， 且包括吹 扫组件和保温组件， 吹扫组件具有换向面， 换向 面用于改变流向换向面的吹扫气流的方向， 保温 组件固设于吹扫组件的下侧， 且在预设位置时， 保温组件适于遮挡在晶体生长设备的坩埚的上 侧。 根据本实用新型的清扫用具， 减少生产时间 和成本， 提高了生产效率。 权利要求书2页 说明书7页 附图2页 CN 217709753 U 2022.11.01 CN 217709753 U 1.一种用于晶体生长设备(300)的清扫用具(100)， 其特征在于， 所述晶体生长设备包 括晶体生长炉， 所述晶体生长炉具有待清洁表面， 所述清扫用具(100)适于位于所述待清洁 表面的径向内侧， 且 包括： 吹扫组件(1)， 所述吹扫组件(1)具有换向面(11a)， 所述换向面(11a)用于改变流向所 述换向面(1 1a)的吹扫气流的方向； 保温组件(2)， 所述保温组件(2)固设于所述吹扫组件(1)的下侧， 且在预设位置时， 所 述保温组件(2)适于遮挡在所述晶体生长设备(3 00)的坩埚(202)的上侧。 2.根据权利要求1所述的用于晶体生长设备(300)的清扫用具(100)， 其特征在于， 所述 换向面(1 1a)形成为顶点朝上的锥面。 3.根据权利要求2所述的用于晶体生长设备(300)的清扫用具(100)， 其特征在于， 所述 锥面的锥角可调。 4.根据权利要求1所述的用于晶体生长设备(300)的清扫用具(100)， 其特征在于， 所述 吹扫组件(1)和所述保温组件(2)为 一体件。 5.根据权利要求1 ‑3中任一项所述的用于晶体生长设备(300)的清扫用具(100)， 其特 征在于， 所述保温组件(2)包括： 壳体(21)； 支撑件(22)， 所述支撑件(22)设于所述壳体(21)内， 且与所述壳体(21)共同限定出安 装腔(2a)； 保温件(23)， 所述保温件(23)设于所述 安装腔(2a)内。 6.根据权利要求5所述的用于晶体生长设备(300)的清扫用具(100)， 其特征在于， 所述 保温组件(2)还包括托盘(24)， 所述托盘(24)设于所述安装腔(2a)外， 且支撑在所述壳体 (21)的底部， 所述清扫用具(10 0)还包括： 连接杆(3)， 所述连接杆(3)具有限位部(31)， 所述连接杆(3)穿设于所述托盘(24)、 所 述壳体(21)、 所述支撑件(22)和所述吹扫组件(1)且伸出所述吹扫组件(1)， 所述限位部 (31)止抵在所述 托盘(24)的底部 。 7.根据权利要求6所述的用于晶体生长设备(300)的清扫用具(100)， 其特征在于， 所述 托盘(24)的底部具有凹槽(24a)， 所述限位部(31)配合于所述凹槽(24a)内。 8.一种晶体生长设备(3 00)， 其特征在于， 包括： 晶体生长炉(200)， 所述晶体生长炉(200)包括炉体(201)和坩埚(202)， 所述坩埚(202) 设于所述炉体(201)内； 清扫用具(100)， 所述清扫用具(100)为根据权利要求1 ‑7中任一项所述的用于 晶体生 长设备(300)的清扫用具(100)， 且可运动地设于所述炉体(201)内， 所述清扫用具(100)具 有预设位置， 在所述预设位置， 所述清扫用具(10 0)遮挡在所述 坩埚(202)的上侧。 9.根据权利要求8所述的晶体生长设备(300)， 其特征在于， 所述晶体生长炉(200)还包 括： 冷却套， 所述冷却套设于所述炉体(201)内且位于所述坩埚(202)的上方， 所述冷却套 用于对晶体进行冷却， 在所述预设位置， 所述清扫用具(100)的底面低于所述冷却套的下 端；权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 217709753 U 2晶体提拉机构(204)， 所述晶体提拉机构(204)设于所述晶体生长炉(200)的顶部， 且与 所述清扫用具(10 0)相连以带动所述清扫用具(10 0)运动。 10.根据权利 要求9所述的晶体生长设备(300)， 其特征在于， 所述清扫用具的外径为D， 所述冷却套的内径为D1， 90％≤D/D1≤95％。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 217709753 U 3