ICS 31.200 CCS L 56 中华人民共和国国家标准 GB/T 42975—2023 半导体集成电路 驱动器测试方法 Semiconductor integrated circuitsTest method of driver device 2024-01-01实施 2023-09-07发布 国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会 GB/T42975—2023 目 次 前言 范围 1 2 规范性引用文件 3 术语和定义 一般要求 静态参数测试 5 5.1 输人高电平电压（V） 5.2 输人低电平电压（V） 5.3 输人钳位电压（Vik） 5.4 输人高电平电流（IH） 5.5 输人低电平电流（I） 5.6 输人阻抗（RIN 5.7 输出高电平电压（VoH） 5.8 输出低电平电压（Vor） 5.9 输出阻抗(Rou 5.10 输出漏电流（Itk） 5.11 输出短路电流（Ios） 10 5.12 峰值电流（Ipk） 10 5.13 差分输出电压（VoD L2 5.14 差分输出电压变化（△VoD） 14 5.15 共模输出电压（Vos 14 5.16 共模输出电压变化（△Vos） 15 5.17静态电流（IDDQ） 15 6动态参数测试· 16 6.1 电源电流（IDD） 16 6.2 输出由低电平到高电平传输延迟时间（tPLH） 17 6.3 输出由高电平到低电平传输延迟时间（tpHL） 20 6.4 输出上升时间（t.） 20 6.5 输出下降时间（tr） 21 6.6 输出偏斜(tsk） 21 6.7 时钟抖动（iADD） 22 6.8输人电容（C,）和输出电容（Co） 23 GB/T42975—2023 前言 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本文件由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归口。 本文件起草单位：中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集团公司第二十四研究所、安徽大华 半导体科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、广东省中绍宣标准化技术研究院有限公 司、中国电子科技集团公司第五十八研究所、中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所、成都 振芯科技股份有限公司。 本文件主要起草人：刘芳、周俊、杨晓强、纵雷、刘凡、霍玉柱、林瑜攀、陆坚、梁希、王会影。 GB/T42975—2023 半导体集成电路驱动器测试方法 1范围 本文件规定了半导体集成电路驱动器（以下简称器件）的电特性测试方法的基本原理和测试程序。 本文件适用于74/54系列驱动器、总线驱动器、PIN开关驱动器、达林顿驱动器、时钟驱动器 LVDS驱动器、MOSFET驱动器和差分驱动器等各种半导体工艺制造的驱动器的电性能测试。其他类 别驱动器的测试参考使用。 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文 本文件。 GB/T9178—1988集成电路术语 GB/T17574一1998半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路 3术语和定义 GB/T9178一1988界定的术语和定义适用于本文件。 4一般要求 4.1测试环境条件 除另有规定外，电测试环境温度为25=℃；环境气压86kPa～106kPa。如果环境湿度对试验有影 响，应在相关文件中规定 4.2测试事项 测试期间，符合以下要求： a） 若无特殊说明，环境或参考点温度偏离规定值的范围应符合器件详细规范的规定； b) 外界干扰不应影响测试精度，测试设备引起的测试误差应符合器件详细规范的规定： 施于被测器件的电源电压应在规定值的土1%以内，施于被测器件的其他电参量的准确度应符 c) 合器件相关文件的规定； d) 被测器件与测试系统连接或断开时，不应超过器件的使用极限条件； e） 应避免因静电放电而引起器件损坏； f）非被测输人端和输出端是否悬空应符合相关文件的规定。 4.3 3相关文件 本文件中的相关文件指与驱动器相关的产品详细规范、产品手册等技术文件。 1 GB/T42975—2023 5静态参数测试 5.1 输入高电平电压（Vm） 5.1.1 目的 输出电压为规定值时，测试对输入端所施加的最小高电平电压。 5.1.2 测试电路图 V的测试电路图见图1。 1 输入装置 被测器件 输出装置 GNI) 可调电压输入装置 标引符号说明： VoD 电源电压： GND 地线。 图1输入高电平电压、输入低电平电压测试电路图 5.1.3测试条件 测试期间，下列测试条件应符合器件详细规范的规定： a) 环境或参考点温度； b) 电源电压VpD； c）输入端条件Vi; d) 输出端电压Vo。 5.1.4测试程序 测试程序如下： 在规定的环境条件下，将被测器件接入测试系统中； b) 电源端施加规定的电压Vpp； c) 按详细规范的规定设置其他条件； d) 被测输人端输人电压V,由Vss逐渐上升，使输出端电压V，为规定的电压值时，该输人电压即 2 GB/T42975—2023 为输人高电平电压ViH； e） 按a)～d)的规定，分别测试每个输入端。 5.2 输入低电平电压（Vu） 5.2.1目的 输出电压为规定值时，测试对输入端所施加的最大低电平电压。 5.2.2 测试电路图 Vn的测试电路图见图1。 5.2.3 测试条件 测试期间，下列测试条件应符合器件详细规范的规定： a) 环境或参考点温度； 电源电压VDD; b) 输入端条件Vr； d) 输出端电压Vo。 5.2.4 测试程序 测试程序如下： a) 在规定的环境条件下，将被测器件接入测试系统中； b) 电源端施加规定的电压VD； 按详细规范的规定设置其他条件； d) 被测输人端输人电压V由VDp逐渐下降，使输出端电压Vo为规定的电压值时，该输人电压即 为输入低电平电压Vn； 按a)～d)的规定，分别测试每个输人端 5.3 3输入钳位电压（Vik） 5.3.1目的 测试器件输人端在抽出规定电流时的电压。 5.3.2 测试原理图 Vik的测试电路图见图2。 3 GB/T 42975—2023 被 被测输入端 测 器 标引符号说明： VDD-电源电压； I——输入端抽出电流； Vik——输入钳位电压。 图2输入钳位电压测试电路图 5.3.3测试条件 测试期间，下列测试条件应符合器件详细规范的规定。 环境或参考点温度； a) b) 电源电压VpD； c) 输入端抽出电流Ir。 5.3.4 测试程序 测试程序如下： a) 在规定的环境条件下，将被测器件接入测试系统中； b) 电源端施加规定的电压VDD； 按详细规范的规定设置其他条件； c) (P 被测输入端施加规定的抽出电流，测量此时输人端的电压Vik； e) 按a）～d)的规定，分别测试每个输人端。 5.4 输入高电平电流（Im） 5.4.1 目的 测试输入端在施加规定的高电平电压V时流入器件的电流 5.4.2测试电路图 IH的测试电路图见图3。 4